8GB DDR3L 1600 Mhz RAM Speicher Asus N550JK Core i5-4200H PC3L-12800S
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8GB DDR3L 1600 Mhz RAM Speicher Asus N550JK Core i5-4200H PC3L-12800S

  • Hersteller: Samsung
Produktbeschreibung: Anwendungsbereich: Notebooks, Besonderheiten: Unbuffered, Kapazität: 4 GB und mehr, Speicherbandbreite: DDR3-1600 (PC3-12800), Typ: DDR3-SDRAM, SO-DIMM, Anzahl der Module: 1, Busgeschwindigkeit: PC4-21300 (DDR4-2666), Gesamtkapazität: 32GB, Produktart: DDR4 SDRAM

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  1. 8GB DDR3L 1600 Mhz RAM Speicher Asus N550JK Core i5-4200H PC3L-12800S

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    Anwendungsbereich: Notebooks, Besonderheiten: Unbuffered, Kapazität: 4 GB und mehr, Speicherbandbreite: DDR3-1600 (PC3-12800), Typ: DDR3-SDRAM, SO-DIMM, Anzahl der Module: 1, Busgeschwindigkeit: PC4-21300 (DDR4-2666), Gesamtkapazität: 32GB, Produktart: DDR4 SDRAM

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  2. Samsung DDR4 - Modul - 32 GB - SO DIMM 260-PIN

    Samsung DDR4 - Modul - 32 GB - SO DIMM 260-PIN

    Typ: DDR4 SO-DIMM 260-PinTakt: 2666MHzModule: 1x 32GBJEDEC: PC4-21300SRanks/Bänke: dual rank, x8CAS Latency CL: 19 (entspricht 14.25ns)Row-to-Column Delay tRCD: 19 (entspricht 14.25ns)Row Precharge Time tRP: 19 (entspricht 14.25ns)Spannung: 1.2VModulhöhe: 30mmBesonderheiten: Standard-SPDBeachten Sie dies vor dem Kauf:Die Verpackung ist durch eine neutrale Verpackung ersetzt.!! Samsung M471A4G43MB1-CTD. Komponente für: Notebook, RAM-Speicher: 32 GB, Speicherlayout (Module x Größe): 1 x 32 GB, Interner Speichertyp: DDR4, Speichertaktfrequenz: 2666 MHz, Memory Formfaktor: 260-pin SO-DIMMMerkmaleRAM-Speicher32 GBSpeicherlayout (Module x Größe)1 x 32 GBInterner SpeichertypDDR4Speichertaktfrequenz2666 MHzKomponente fürNotebookMemory Formfaktor260-pin SO-DIMMSpeicherrangfolge2Speicherspannung1.2 V Funktionen Interner Speichertyp : DDR4 Speichertaktfrequenz : 2666 MHz Speicherspannung : 1 2 V Memory Formfaktor : 260-pin SO-DIMM Speicherrangfolge : 2 Komponente für : Notebook RAM-Speicher : 32 GB Speicherlayout (Module x Größe) : 1 x 32 GB SO DDR4 32GB PC 2666 CL17 Samsung 1,2V AllgemeinKapazität32 GBErweiterungstypGenerischHöhe30 mmSpeicherTypDRAM SpeichermodulTechnologieDDR4 SDRAMFormfaktorSO DIMM 260-PINModulhöhe (Zoll)1.18Geschwindigkeit2666 MHz (PC4-21300)LatenzzeitenCL19DatenintegritätsprüfungNon-ECCBesonderheitenDual Rank, ungepuffertModulkonfiguration4096 x 64Chip-Organisation2048 x 8Spannung1.2 V RAM-Speicher:32 GBSpeicherlayout (Module x Größe):1 x 32 GBInterner Speichertyp:DDR4Speichertaktfrequenz:2666 MHzKomponente für:NotebookMemory Formfaktor:260-pin SO-DIMMSpeicherrangfolge:2Speicherspannung:1.2 VWarentarifnummer (HS):84733020 Samsung - DDR4 - Modul - 32 GB - SO DIMM 260-PIN - 2666 MHz / PC4-21300 - CL19 - 1.2 V - ungepuffert - non-ECC - für Intel Next Unit of Computing 12 Pro Kit - NUC12WSHi3

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